为了得到好的光刻效果,掩模板的质量必须满足光刻工艺的一定要求。集成电A3967SLBTR-T路生产中,光刻工艺对掩模板的质量要求归纳有如下几点:

   ①构成图形阵列的每一个微小图形要有高的图像质量,即图形尺寸要准确,尽可能接近设计尺寸的要求,且图形不发生畸变。

   ②图形边缘清晰、锐利,无毛刺,过渡区要小,即充分光密度区(黑区)应尽可能陡直地过渡到充分透明区(白区)。图形区内应有掩蔽作用,图形区外应完全透过紫外线或对光吸收极小。图形内应无针孔,图形外应无黑点。一些特殊器件对过渡区的要求更加苛刻。

   ③整套掩膜图形中的各层掩膜图形能很好地套准,套准误差要尽量地小。

    ④图形与衬底要有足够的反差(光密度差),一般要求达2.5以上,同时透明区应无灰雾。

   ⑤掩膜应尽可能做到无针孔、小岛和划痕等缺陷。

   ⑥版面平整、光洁、结实耐用。版子要坚固耐磨、不易变形。图形应不易损坏。由于掩模板在光刻时可能要与硅片接触并发生摩擦,极易损坏,如果掩模板不坚固耐磨,则其使用寿命很短,经常更换新版很不经济。

    随着晶体管向高频、微波、大功率等方向的发展,以及集成电路向高频、高速和大规模等方向的发展,光刻图形越来越复杂,线条尺寸也越来越小,因而对掩模板的要求也就越来越高。常用的掩模板有超微粒干版、铬版、彩色版等。但由于超微粒干版耐磨性较差,针孔也较多,已很少采用,所以下面将主要讨论铬版和彩色版的制各技术。