从⒛世纪80年代起。随着集ADG508AKRZ-REEL成电路的发展,为满足其多层互连技术的需求,对金属及金属化合物的CV0工艺进行了不断的探索与开发。除了前述的W、WSi:、△N薄膜的C`0工艺的成功开发应用之外,传统上使用PVD工艺制备的Cu、Al、Tl等金属及金属化合物薄膜的CVD工艺也取得了进展,开发出一些新型金属有机化合物Cˇ0源。工艺方法除了冷壁式LPCVD,还采用了新开发源的MOCVD方法。近年来,有些金属及金属化合物的CVD工艺已投人到实际丁业生产中。

   金属及金属化合物使用cvd工艺制备,目的是为了获得厚度均匀、表面平坦、台阶保形覆盖和附着性更好的薄膜。另外,一些C`⑩金属及金属化合物还可以实现选择淀积。但是,目前多数金属及

金属化合物的Cvd工艺并不十分成熟,还处于实验室研究阶段。

    从⒛世纪80年代末起,o冫0￡u工艺技术就开始被广泛研究。最初是寻找合适的铜源――化学反应剂,以及最佳淀积条件。以铜的无机化合物(如以CuCb)作为源时,由于淀积温度较高,不适合在前期已进行了多个工艺操作的衬底上制备铜互连布线。因此,铜源的开发主要是集中在铜的有机物上。当前主要是采用二价和一价铜的有机物作为源。二价铜有机物是早期主流源,通式为CJ(dlketonnatΘ,如Cu(a∞c)2,用H2作还原剂的化学反应方程式为Cu2(b-diketonnate)―←H2-Cu(s)―←2(⒌diketonnate)二价铜有机物源多是固态,在化学反应中,源面积的变化使得淀积速率不易控制,重复性差,但固态源室温时稳定,易于存储。

   近几年来,一价铜有机物源开始出现并受到重视而逐渐成为主流.其通式为(b-dketollllate)CJ△,其中,I'″代表有机基团,L可以是路易士碱(1cwi曲ase),或为烯(或炔)类,如tms(trimcthyl§lme)、cod

(1,5cydooctadelle)。一价铜有机物源一般是液态,有较高的蒸气压,可以在较低温度(如⒛0℃)下淀积铜膜,不需要其他还原剂。铜源在室温较不稳定,不利于存储。而且当卜dlketollnate是有机大分子基团时,如含有F、C、o等,淀积的铜薄膜中也会含有这类物质,将会影响铜膜性质。冷壁式LPCvd设备示意图如图⒎34所示。液态源由流量计控制流量并在蒸馏器中进一步被稀释,进人反应器后被衬底吸附、分解,生成Cu薄膜,而分解产生的其他气态物质则被抽气系统排出反应器。