通过热氧化在硅表面生长的氧化层在后续I艺中可作为掩膜使用,也可作为电绝缘层和元器件的组成部分,OV10620-C48A其生长质量及性能指标是否可以达到上述各功能使用要求,必须在生长I艺后进行必要的检测。检测主要包括⒏Θ2层厚度和成膜质量测量两部分。

    Sio.2层厚度的测量

   在生产实践中。测量s02层厚度的方法目前用得最多的是光学干涉条纹法。如在要求不很精确的情况下,也可方便地用比色法来进行估测。SiO2膜是否致密可通过折射率来反映,较为精确的厚度与折射率检测多采用椭圆偏振法。

   比色法 半导体晶片上的透明介质膜受白光垂直照射时,部分光线在介质膜表面直接反射,另一部分则透过介质膜并在膜与衬底的界面反射后再透射出来。由于这两部分光束之间存在着光程差而产生光的干涉。光程差的数值取决于膜的厚度,光的相干干涉的结果就会使一定厚度的介质膜呈现出特定的颜色。这样,根据介质膜在垂直光照下的颜色就可判定出膜的厚度。通过用其他更为准确的方法所测定的厚度作为标准,已建立起颜色和厚度的详细对照表,表⒋4所示为白光下s02层厚度与干涉色彩的关系。为了避免误差,还可以设置一套标准比色样品进行对照判定。值得注意的是,需要根据工艺条件估计氧化层厚度所处的周期。