对于一个晶圆，除r要有单晶结构之外，还需要有特定的晶向( crstal orientation)。通过G30N60A4切割的单晶块可以想象这个概念。在垂直平面上切割将会暴露一组平面，而角对角切割将会暴露一个不同的平面。每个平面是独一无二的，不同在于原子数和原子间的结合能。每个平面具有不同的化学、电学和物理特性，这些特性将赋予晶圆。晶圆要求特定的晶体定向。

   晶面通过一系列称为米勒指数的三个数字组合来表示。有两个简单的立方晶胞嵌套在X YZ坐标中。两个在硅晶圆中最通常使用的晶向是(100>和<111>晶面．，晶向描述成l∞．0面和l—l j1面，尖括号表示这三个数是米勒指数。

   <100)晶向的晶圆用来制造金属氧化物磋(MOS)器件和电路，而(111>晶向的晶圆用来制造双极型器件和电路。砷化镓晶体只能沿(100>晶面切割。

   注意在图3.7的(100>晶面有一个正方形，而<111)晶面有一个三角形。当晶圆破碎这些定向将。(100>晶向的晶圆碎成四方形或直角(900)破裂。<111)晶向的晶圆碎成三角形。

   半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。这种半导体材料，或称为硅锭( ingot)，是从大块的具有多晶结构和未掺杂本材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长( crystal growing)。

   使用三种不同的方法来生长单晶：直拉法( Czochralski，CZ)、液体掩盖直拉法和区熔法。