图⒋28所示是在硅中高斯分布的硼经热氧化后的浓度分布情况。图中虚ORIONC1线表示的是热氧化前理想的高斯分布,圆点表示的是热氧化后硼分布的实验结果。图中实线是按Κ=0.1计算的再分布情形。

   图⒋28 在硅中高斯分布的硼经热

   了解热氧化时s/SiO2界面杂质的再分布特性,可以通过氧化工艺来调整硅表面的杂质浓度。例如,在3DK4硼扩散预淀积工序中,当杂质浓度偏大时,就可以通过二次氧化(也就是再分布)来调整硅表面的杂质浓度:将干氧――湿氧一干氧I艺的初次干氧时间缩短,甚至直接进行湿氧,湿氧时间增加,但氧化总时间不变。工次氧化后,硅表面硼浓度将有所降低,这是因为在氧化引起杂质再分布的几个因素中,⒊/SiO2界面移动速率是主要因素:湿氧氧化速率快,预淀积在硅表面的硼在还未扩散到硅内部时就被迅速生长的二氧化硅吸收。其次,由于杂质的分凝效应,二氧化硅吸收硼(K:=0.3)。