在外延生长过程中和完成后,对外延片的质量控制和参数检测,除了前述晶格特性方面的内容之外, MAX202ECSE+T外延层参数测量也是重要的检测内容,主要参数有外延层厚度、电阻率、均匀性等。

   在现代化新型的外延设各上生长室通常安装有实时监测装置,如MBE一般在生长室安装石英振荡测试仪,可以实时监测外延层生长厚度;而离线后对外延层厚度进行测量是普遍采用的方法,主要测量方法有层错检测法、红外千涉法、磨角法等。

   电阻率是外延层重要的电学参数,通过测量外延层电阻率及其分布,还可获取外延层掺杂浓度及分布的信息。外延层电阻率的测量采用常规半导体材料电阻率测量方法,如四探针法、扩展电阻法、电容法等。

   外延层参数的具体测量方法将在第5单元第13章中介绍。在此仅对与外延层错有关的测外延 层厚度方法进行介绍。

   层错法测量外延层厚度是利用层错边长与外延层厚度的几何关系换算厚度的方法。沿〈111〉方向生长的外延层的层错与表面交线是沿(110〉晶向出现的。由于层错界面处的原子排列不规则,界面两边的原子相互结合较弱,具有较快的化学腐蚀速率,经过适当的化学腐蚀(多采用⒊rtl腐蚀液)之后,就会在外延层错面与晶格完整面交界处腐蚀出沟槽,腐蚀得到图形的形状见图⒊22,图形的大小与四面体的体积有关。起源于外延界面的图形大于起源于外延层内部的图形。层错法测董外延层厚度原理,如图324所示.

   采用层错法测量外延层厚度时应注意,在腐蚀时只要能显示图形就可以,时间不应过长,否则外延层厚度也将被减薄,计算厚度时,应考虑腐蚀对厚度的影响。选择图形应选最大的,不能选靠近外延层边缘的图形。