基于不同的工艺需求,随着气相外延工艺的发展出现了多样化的外延技术。为了减LD2982BM30R小自掺杂效应,出现了低压外延I艺。为了实现只在衬底的特定区域生长外延层,出现了硅的选择外延技术。还有异质外延中的SOI技术等多种工艺技术。

   低压外延(I'o旷Pressurc Ephaxy)是指对外延反应器抽真空,控制反应室内外延气体压力在1×10s~2×104Pa之间的外延工艺。

   当反应室内气体压力降低时,一方面,在低压下气体分子密度降低由式(3-10)可知,分子平均自由程将增大,杂质气相扩散速度也就加快9杂质穿越边界层进人主气流区所需时间就大大缩短;另一方面,气体密度降低,由式(3△2)可知,气流边界层厚度增加,这将延长由衬底逸出的杂质穿越边界层所需要的时间。从综合效果看,杂质气相扩散速度加快的影响占主要地位。例如,当压力由1×lσ Pa降至约1Pa日寸,杂质气相扩散系数增加几百倍,而由于压力降低边界层厚度的增大只有3~10倍。虽然两种效应同时对杂质穿越边界层的时问产生影响,但其中扩散速度增大的影响是主要的,实际上杂质穿越边界层的时间是减少了一个数量级。因此,由于压力降低,衬底逸出的杂质能快速穿越边界层进人主气流区被排出反应器,重新进入外延层的机会减小,从而降低了自掺杂效应对外延层中杂质浓度及分布的影响。