低压外延可以得到在外延层/衬底界面杂质分布陡变的外延层。而且,由于反应室处于低压状态,LD2985AM33R当外延停止时,反应室内残存的反应气体能够很快地被清除掉,缩小了多层外延各层之间的过渡区。因此,低压外延还可以改善多层外延时各外延层内杂质的均匀性,得到电阻率分布较均匀的多层外延层。

   通常低压外延生长速率比常压时低。在压力一定的条件下,可以通过调整硅源浓度来提高生长速率。在图⒊8中,当硅源sC11的浓度超过0,28(夕卜延气体的摩尔百分比)日寸,外延生长发生逆向反

应,衬底硅被腐蚀。而在低压外延时,对衬底产生腐蚀的硅源的临界浓度比常压外延要高得多,这为利用硅源浓度来控制生长速率提供了更大的调整范围。

   低压外延工艺由于受到反应器系统可能漏气,基座与衬底之间温差增大,基座、反应室壁面等在减压时会释放出所吸附的气体,外延生长温度较低等因素影响,生长的外延层的晶格完整性有所降低。在低压外延系统中,要求管道、反应器的密封性能必须良好,反应器应能承受内外压差,且受力也应均匀。