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多芯片封装白光发光二极管

发布时间:2016/11/2 22:12:32 访问次数:508

    多芯片封装白光LED是指把两种以上的基色可见光LED封装在一个基片上,通过基LM3404HVMR色光的混合实现白光。其中三基色白光LED的研究最多,通过调整二种颜色LED芯片的I作电流可以调节三基色的配比,理论LI丁以获得包括白光在内的各种颜色的光。该方法没有使用荧光粉,排除了荧光粉的非辐射复合和St∝“频移造成的能量损失、荧光粉老化对光源寿命的限制。理论上此方案比荧光粉转换白光LED效率更高、寿命更长。A。Zukauskas等人分别模拟了2、3、4和5个光谱半宽均为30nm的不同波长芯片共同细成的48⒛K色温白光LED的显色指数和流明效率的关系,如图⒋30所示。其中,由蓝光和黄光构成的二基色合成白光LED具有固体白光光源中最高的发光效率,约43011nrw。

    但是,由于各基色LED光谱宽度约为⒛~30nm(远低于荧光粉激发光谱宽度),所以,显色指数很差,仅为3,不能满足实际的需求。为提高显色指数,一股需要更多不同波长的LED集成封装。当增加的基色光数量达到5时,显色指数可以达到99,接近太阳光谱,但是,此时的发光效率降为33011n/W。以上讨论时,假设各基色LED的发光效率均为100%。理论分析表明:RGB三基色LED的最大发光效率约为37411n/W(显色指数R四≤80),远高于同等显色指数下的蓝色LED激发黄色荧光粉的方案。分析表明,要达到⒛01W`V的光效,R、G、B三种LED芯片的光电转换效率均要高于53%,最佳波长分别为:损=ω4nm,柁=534nm,杨=弱0nm。目前RGB封装LED的光效低于1001tl△W,主要原因在于绿色LED的发光效率仅为10%,远低于蓝光LED。绿光LED光效难于提高的原因在于日前找到的可发绿光的材料,如hGaN、AlGaInP等,在外延生长过程中的晶格失配弛豫、热力学不稳定性、极化效应等方面均存在较大的问题。要克服这些困难还要有很远的路要走。

 

    多芯片封装白光LED是指把两种以上的基色可见光LED封装在一个基片上,通过基LM3404HVMR色光的混合实现白光。其中三基色白光LED的研究最多,通过调整二种颜色LED芯片的I作电流可以调节三基色的配比,理论LI丁以获得包括白光在内的各种颜色的光。该方法没有使用荧光粉,排除了荧光粉的非辐射复合和St∝“频移造成的能量损失、荧光粉老化对光源寿命的限制。理论上此方案比荧光粉转换白光LED效率更高、寿命更长。A。Zukauskas等人分别模拟了2、3、4和5个光谱半宽均为30nm的不同波长芯片共同细成的48⒛K色温白光LED的显色指数和流明效率的关系,如图⒋30所示。其中,由蓝光和黄光构成的二基色合成白光LED具有固体白光光源中最高的发光效率,约43011nrw。

    但是,由于各基色LED光谱宽度约为⒛~30nm(远低于荧光粉激发光谱宽度),所以,显色指数很差,仅为3,不能满足实际的需求。为提高显色指数,一股需要更多不同波长的LED集成封装。当增加的基色光数量达到5时,显色指数可以达到99,接近太阳光谱,但是,此时的发光效率降为33011n/W。以上讨论时,假设各基色LED的发光效率均为100%。理论分析表明:RGB三基色LED的最大发光效率约为37411n/W(显色指数R四≤80),远高于同等显色指数下的蓝色LED激发黄色荧光粉的方案。分析表明,要达到⒛01W`V的光效,R、G、B三种LED芯片的光电转换效率均要高于53%,最佳波长分别为:损=ω4nm,柁=534nm,杨=弱0nm。目前RGB封装LED的光效低于1001tl△W,主要原因在于绿色LED的发光效率仅为10%,远低于蓝光LED。绿光LED光效难于提高的原因在于日前找到的可发绿光的材料,如hGaN、AlGaInP等,在外延生长过程中的晶格失配弛豫、热力学不稳定性、极化效应等方面均存在较大的问题。要克服这些困难还要有很远的路要走。

 

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