单芯片集成白光LED是指利用GaN基LED直接发射白光的器件。GaN基化合物半导体材料的带隙可调范围广,覆盖了整个可见光和相当一部分的紫外、红外波段。LM3409HVMY这一特点提供了制备出能从单一芯片中发出白光的LED器件的可能性。这种技术方案无需荧光粉,可以排除荧光粉转换效率和寿命对LED光源的影响,又可避免多芯片封装白光中多套控制电路的复杂设计、不同芯片衰减速度差别而引起的光色漂移等问题。

   理论上把LED夕卜延结构的有源层设计成分别发射不同波长的多有源层叠层量子阱结构即可发射多色光合成白光。如有源层为5个周期的InGaN/G焖多量子阱,采用不同的h组分,分别发射波长为46Onm的蓝光和520nm的绿光,无需荧光粉就可以得到接近白色的

光发射。但是,实际上GaN基LED的多量子阱中的电子、空穴的氵乡λ、严重不匹配,空穴输运到远端量子阱的概率较小,大部分的复合发生在最接近p型区的量子阱,所以不能仅仪依靠电子和空穴在不同的有源层量子阱复合产生多色光而合成白光。