集成电路 市场需求旺盛 投资力度加大

目前，我国集成电路已具备了一定的研发基础，形成了由7个芯片生产骨干企业，十几个封装厂，几十家设计公司，若干个关键材料及专用设备仪器制造厂组成的产业群体，在地域上呈现相对集中的趋势。1999年集成电路产量为41.5亿块，与1998年相比，增长了53.6％，销售额接近100亿元。

当前，国内集成电路产业呈现出可喜的发展势头：

市场需求旺盛，企业开工充足，全行业经济效益进一步完善；集成电路和应用整机紧密结合，上海贝岭股份有限公司、大唐微电子公司依托系统整机公司发展集成电路，取得了成功；集成电路企业股票上市，融资渠道开始拓宽；“909”工程的实施，使我国集成电路产业进入当今世界的主流技术水平，上海华虹NEC投产顺利，产品市场可喜；除合资企业外，民营企业已在集成电路行业占有一席之地。

与国内市场需求和经济发达国家相比，我国集成电路产业整体规模仍很弱小，在大生产技术开发能力和产品设计开发能力与水平等方面的差距还比较大。产品销售额仅占全球集成电路销售总额的千分之八，占国内市场需求份额不到百分之二十，产品大多为中低档水平（主要是0.8微米以上产品），核心的关键产品还要靠进口（如CPU、移动通信用DSP等）。封装技术与国际水平也相差较远，主要以DIP为主，SOP、SOT、BGA、PPGA等封装方式国内基本属于空白。

市场需求：随着电子信息产品应用日益广泛，我国电视机、交换机、个人电脑、移动通信产品等越来越多的电子信息产品的产销量开始进入世界前列，对集成电路的需求急剧增加。1999年国内市场需求达170亿块，市场需求超过500亿元。

集成电路市场正在以每年20％以上的速度增长，每年进口的集成电路在以15％以上的速度增长。据分析，到2005年，我国集成电路国内市场的需求约为300亿块、800亿元人民币。预计到2010年，将达到700亿块、2100亿元人民币。

发展重点：集成电路设计要与整机开发相结合，积极支持有条件的整机企业建立集成电路设计中心，设计开发市场较大的整机所需的各种专用集成电路和系统级芯片。产品的技术水平达到0.18—0.25微米，开发生产有自主知识产权集成电路产品，有条件地逐步设计开发通用集成电路（包括CPU）。

扩大国内现有的集成电路生产线的生产能力，加强工艺技术、生产技术的研究与开发，加快现有生产线的技术升级，形成规模生产能力，提高产品技术水平，扩大产品品种。实施优惠政策，改善投资环境，积极鼓励国内外有经济实力和技术力量的企业或投资机构在国内建立集成电路芯片生产线。

电子元器件 片式、新型仍是发展重点

我国电子元件产值低于日、美，与德国相当，约处于第3、4位，但产值的绝对值仅为全球的5—8％。产量在世界上处于第一的有：扬声器、录音磁头、铁氧体永磁磁体、铝电解电容器。电真空器件产值基本与西欧相当；电视机用的彩色显像管产量已居世界第三，但其它电真空器件产量包括称为军事电子装备心脏的微波器件和微波炉用磁控管等则微足不道，半导体分立器件产值约占世界总产值的2％，而且生产是以后道封装为主。

我国电子元件国内市场满足率大体是45％；半导体分立器件国内市场满足率20％；电真空器件国内市场满足率大体是70％。但不同系列元器件的市场满足率悬殊很大，有的市场占有率不到10％，尤其是一些新型元器件的市场占有率几乎为零。

市场预测：2005年世界电子元器件市场需求约3000亿美元（20000亿只），约占世界电子工业的15％，年均增长率10％左右。其中新型元器件需求约1500—1800亿美元（14000亿只）。2005年国内市场电子元器件需求约2000亿元（4000亿只），约占国内电子工业的18—20％，占世界电子元器件市场的8—10％。新型元器件市场需求约1000亿元（1600亿只）占国内电子元器件市场的40％。

发展重点：以元器件产品升级换代、提高电子整机本地化率为目标，发展片式、微型和多功能化的新型元器件产品，加强新型元器件和新型显示器件的开发，以适应新一代数字技术产品发展的需要。

表面贴装元器件重点发展金属电极片式陶瓷电容器，片式电阻器、片式电感器、片式钽电容器和片式二、三极管；厚膜混合集成电路（HIC）重点开发和生产为通信产品、汽车电子等投资类整机配套的产品以及厚膜HIC用陶瓷基板；敏感元器件及传感器重点发展电压敏、热敏、气敏产品；新型电力电子器件重点发展VDMOS、SIT和IGBT；光电子器件重点发展LCD、LED芯片、PDP等；新型电源重点发展镍氢电池、锂离子电池、聚化合物电池；高频频率器件重点发展高频声表面波器件、微波介质器件等。

电子材料 从大国走向强国

电子信息材料主要包括微电子材料、光电子材料、传感材料、磁性材料、电子陶瓷材料、绿色电池材料等。

我国的电子信息材料产业，已经建立起门类比较齐全的科

研开发体系，个别电子材料已成为了世界生产大国