如果没有电流扩展层,电流主要被限制在电极正下方区域。由于发光主要集中在不透明的电极下方,电极吸收严重,因此没有电流扩展层的AlGaInP LED的出光效率很低。 JST10N60F有效解决高亮度AlGaInP LED电流扩展问题的方法是在出光面对应的限制层之上生长具有高电导率的电流扩展层,让电流尽可能均匀地扩展到整个器件,使有源层每个区域都能够发光。生长了电流扩展层的AlGaInP发光二极管电流扩展效应使得电流在整个器件区分布均匀,电流正下方的电流密度减小,大大提高了器件的光提取效率。Perks等人[l钊用损耗传输线性模型计算了A⒗aInP LED的电流扩展特性。如图6-8(a) 中的下图所示,距离金属电极'处,宽度为AP。的一个环形单元,r分别为扩展层厚度为矽的电阻率和薄膜电阻。C=d刀d/为pll结每单位面积的电导率,单位串联电阻为″←RΔ〃2冗r和旁路电导为ΔG2冗`GΔr。为简化计算,假设C在电压小于二极管开启电压‰时为零;在电压/大于二极管开启电压‰时为常数,斫=Gt阼‰)°单位面积的等效电路和理想结特性如图⒍8(b)所示。