由MOCVD外延生长在GaAs衬底上的TF LED结构主要包括⒛0nm GaInP腐蚀停层(该层的意义在于去除GaAs衬底时腐蚀GaAs的溶液不腐蚀GaInP起到保护有源区的作用)、Onm⒈GaAs欧姆接触层、2um n-AlGaInP电流扩展层、⒈~AlGaInP限制层、AlGaInP有源区、p-AlGaInP限制层、p-GaP欧姆接触层和光学窗口层。 BBR13-30K6417其中⒈AlGaInP的掺杂浓度和厚度,限制层、有源区各元素的比例,量子阱对数等参数,因设计想法和LED要求的参数等因素不同,各参数稍有差异。

   转移衬底LED在完成外延结构生长以后,需要经过多次的光刻、淀积、腐蚀等工艺,制作出倒装LED芯片。整体过程包括:外延片→清洗→P面蒸镀Sioˉ光刻导电孔→溅射导电介质→剥离一溅射厚Au,同时在转移的衬底上溅射厚Au→键合→去除原GaAs衬底→N面蒸镀电流扩展层ITo→溅射N面电极艹光刻N电极→研磨减薄→溅射P面电极→退火→切割→分选→成品测试。下面以一种倒装到Si衬底上的红光AlGaInP LED芯片为例,介绍具体制作工艺流程:

   (1)外延片反光镜和键合层:在外延片上制作反光镜、欧姆接触层和键合层之后,与作为支架的已淀积黏附层和键合层金属的Si衬底键合。   '

   (2)GaAs衬底转移:键合后,磨片减薄GaAs衬底到约100um厚度。用氨水:双氧水=3~5∶15的溶液腐蚀GaAs衬底。因溶液对GaAs/GaInP具有很高的腐蚀选择比,腐蚀均匀地停止在GaInP层。腐蚀GaAs衬底时,最好加以超声。一方面加快反应速度;另一方面GaAs衬底与双氧水反应,生成的Ga与As各自的氧化物并不能完全被氨水溶解,这些氧化物会堆积在反应表面,阻止GaAs的进一步腐蚀。