薄膜发光二极管由Schnitz∝等人在1993年针对矿-AlGaAs/p-GaAs/p+-川GaAs双异质结LED提出冂,包含了薄膜LED的关键技术点,如反光镜、键合、 BATF003G5K28-00R外延衬底去除、粗化等。这种转移衬底提高器件性能的方法在InGaN LED,RC-LED,VCsEL,光探测器等光电子器件中有广泛应用lSl。对于转移衬底的选择,一般会选择⒐作为新的衬底,其他散热导电性能好的金属也可以。在这种结构中由于ODR的反射作用,使得衬底吸收没有了,具有更高的光提取效率和流明效率;由于采用了Si或者其他金属,使得具有更好的散热特性,适合大电流下工作,同时也具有更低的生产成本(对比透明衬底而言);由于键合工艺简单,易于量产。另一种转移衬底是透明衬底A1203或散热良好的AlN,由于这两种衬底的不导电性,器件结构为横向结构,即P电极和N电极在同一面,如图⒍6所示。