说明ROM、EPROM、rPROM和Flash之间的主要区别。

    EPROM、PROM、动态RAM、静态RAM等存储器中,哪几类是可以随时读/写的?

   某ROM芯片中有12根地址输入H7ET-NFV1-B端和8个数据输出端,该芯片的存储容量是多少位?

   说明动态RAM和静态RAM的主要区别,使用时应如何选用?

   说明NOR∏ash与NAND Flash的主要区别,使用时应如何选用?

   现有若干片2K×8位的RAM芯片,若用线选法组成存储器,有效的寻址范围最大是多少?若用3-8译码器来产生片选信号,则有效的寻址范围最大又是多少?若要将寻址范围扩展到Cz+KB,应选用什么样的译码器来产生片选信号?

   什么是地址重叠区?它对存储器扩展有什么影响?

   如图2.⒛所示,若用1K×8位的芯片来扩展3K×8位RAM,试计算各片的地址范围为多少?

   现有8K×8位RAM多片,1片3ˉ8译码器,要构成容量为16Κ×8位的存储器,请用线选法、部分译码、全译码3种方式分别设计,画出连接图,并指出寻址范围。

   如何检查扩展的RAM工作是否正常?试编―个简单的RAM检查程序,要求此程序能记录有多少个RAM单元工作有错且能记录出错的单元地址?