单次不同的深度隐形切割对亮度的影响曲线
发布时间:2016/8/7 17:47:31 访问次数:545
Ⅵytln Zhang等人[l叨报道了用多次皮秒激光隐形切割的方法提高InG之N基LED的光提取效率。 EP1C12Q240C8N相对纳秒激光和单次隐形切割,多次皮秒隐切可以提高光功率26,5%和11,2%。LoP提高的机制是多次皮秒激光增加了侧壁出光的粗糙面积。并且指出在蓝宝石衬底LED传统正装结构中,隐形切割在蓝宝石中的深度对LED的亮度有影响,认为不同深度隐形切割对蓝宝石侧壁造成的粗化位置有差异,且造成封装后亮度不同,如图5-11所示,随着单次隐形切割位置离发光层距离减小,其封装后亮度先增加后减小。
图5-11 单次不同的深度隐形切割对亮度的影响曲线
Ⅵytln Zhang等人[l叨报道了用多次皮秒激光隐形切割的方法提高InG之N基LED的光提取效率。 EP1C12Q240C8N相对纳秒激光和单次隐形切割,多次皮秒隐切可以提高光功率26,5%和11,2%。LoP提高的机制是多次皮秒激光增加了侧壁出光的粗糙面积。并且指出在蓝宝石衬底LED传统正装结构中,隐形切割在蓝宝石中的深度对LED的亮度有影响,认为不同深度隐形切割对蓝宝石侧壁造成的粗化位置有差异,且造成封装后亮度不同,如图5-11所示,随着单次隐形切割位置离发光层距离减小,其封装后亮度先增加后减小。
图5-11 单次不同的深度隐形切割对亮度的影响曲线
相关技术资料- 8-7单次不同的深度隐形切割对亮度的影响曲线
- 12-10工作波形
- 12-8RS触发器空翻现象
- 5-27ED显示器动态驱动电路（发射极接地）
公网安备44030402000607
