也有研究者根据金属电极吸光、挡光等特性,设计出既能起到电流阻挡的作用,又能E-L7203TR将金属电极下方的有源区发出的光反射回芯片底部lsl,使光在芯片底部的反射层和电极下方的反射层之间发生多次发射,最终达到光取出的效果。如图5-4(a)[1叨便是用布拉格反 射镜做CBL的芯片示意图,图5-4(b)是布拉格反射镜配套铝反射层做CBL的芯片示意图[11]。此类型结构的芯片比同尺寸只用单一绝缘层做CBL的芯片在相同电流驱动下的光功率有所提高,具体提高的比例由复合反射层的反射率、CBL的宽度和厚度等因素决定。用高能电子照射[l剑或者氮气环境下高温退火的方式[13]可将p-GaNˉ中的M纩H复合键打断,使Mg受主离化率提高,从而提高少GaN中的空穴浓度[l钊。Chia-Ming Lce等人[l刽利用此原理,用金属做掩膜后对p-⒍N进行选区退火激活,被金属覆盖的区域由于高阻而形成电流阻挡层,在⒛mA下光功率可提高⒛%。