GaN基高压LED结构设计
发布时间:2016/8/6 15:51:21 访问次数:858
高压LED芯片的设计实际上是平面版图设计与工艺相结合的一个芯片结构实现的过程。K4M56163LG-BN75高压LED直流芯片就是在芯片上通过N,P电极连接形成器件的串联结构,如图⒋43所示,而高压LED交流芯片一般是两个反向发光单元并联后与下一个相同并联单元再串联,因此,交流LED在工作时只有一半发光单元发光,其等效电路如图⒋44所示。
直流高压LED的设计包括:卜GaN台阶刻蚀、深隔离槽刻蚀、绝缘层淀积、ITo蒸发及导线电极淀积,其结构俯视图如图⒋45所示,下面将逐一介绍关键结构的设计。
高压LED芯片的设计实际上是平面版图设计与工艺相结合的一个芯片结构实现的过程。K4M56163LG-BN75高压LED直流芯片就是在芯片上通过N,P电极连接形成器件的串联结构,如图⒋43所示,而高压LED交流芯片一般是两个反向发光单元并联后与下一个相同并联单元再串联,因此,交流LED在工作时只有一半发光单元发光,其等效电路如图⒋44所示。
直流高压LED的设计包括:卜GaN台阶刻蚀、深隔离槽刻蚀、绝缘层淀积、ITo蒸发及导线电极淀积,其结构俯视图如图⒋45所示,下面将逐一介绍关键结构的设计。
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