首先,℃P刻蚀的深槽是为了绝缘,即高压LED深槽刻蚀的作用是将外延层中的n型层隔开,K4M56163PI-BG75512m形成多个相互隔离的小发光单元。即ICP刻蚀的深度需到达蓝宝石(sapphirc)衬底,而刻蚀深度依不同的外延片结构而定,一般为4~5um。对于PSS结构的外延片,刻蚀深度在5~7um。在对外延片的各层结构的详细参数未知或并不准确的情况下,除了对ICP设备进行适当的参数设置外,要结合显微镜观察和探针测试,来准确确定刻蚀是否到达衬底,是否起到完全绝缘的作用。

   其次,深槽侧壁的形貌关系到后道工艺的顺利进行和器件的光电特性。一般有3种不同形式的侧壁,即垂直型、斜面型和阶梯型。分析表明,垂直型的侧壁不利于电极材料的生长,通过溅射或蒸发方法在侧壁上淀积的金属材料相对于平面结构会比较薄,而斜面型的侧壁上金属的覆盖率会提高很多。另外,台阶型的侧壁需要两块掩膜板,成本增加,彐.在台阶间的转角处金属附着也并不理想。因此,一般深槽侧壁形貌设计成斜面型。在其他℃P参数设置不变的情况下,改变RF功率可以影响侧壁倾斜度,随着V功率的减小,侧壁的斜度也逐渐减小Dq。