小功率芯片的结构比较简单,制作工艺也相对简单,通常采用三次光刻芯片制程。JA3515-OS-A04这三次光刻分别是MESA光刻、ITo光刻、PAD光刻。详细步骤如下:

   (1)彻底清洗外延片。该外延片是在蓝宝石衬底上生长的具有GaN基发光二极管芯片结构的外延片。清洗一般分为有机清洗与混合酸液清洗。有机清洗通常采用丙酮浸泡清洗,主要去除外延片表面的有机杂物。而混合酸液清洗通常使用浓硫酸双氧水混合液进行清洗,主要去除外延片表面金属杂质,同时也会使用去离子水进行物理冲洗。最终达到彻底清洗外延片的目的。外延片在芯片加工过程中被称为晶圆(wafcr)。

   (2)制作MEsA台阶。目的是使ll-GaN露出。通过黄光光刻,将掩膜板上的MESA图形转移到晶圆上,然后使用电感耦合等离子体(ICP)进行刻蚀,最后去除光刻胶,并冲洗干净。这样原本平整的外延片出现了MESA台阶,MEsA台阶上方为p￡aN,MEsA台阶下方为ll-GaN。其中MESA光刻步骤选用的光刻胶必须有合适的选择比,确保rP蚀刻 过程中能完整的保护好⒉GaN,而ICP蚀刻深度要根据外延片各层GaN的厚度进行调整。

   同时MESA的制作过程也把切割道制作出来,便于后续芯片切割劈裂作业,根据切割机精准度的不同,切割段宽度也不同。切割道宽度通常在⒛~35um之间。