对于LED限制层材料的要求包括两个方面:首先,相对于有源层,限制层要能够产生足够的带阶差, AAT2845AIML-EE-T1将载流子限制在有限厚度的有源区内,从而提高辐射复合效率;其次,限制层材料必须能被有效地掺以施主和受主杂质,以实现向有源区的载流子注入。

   设GaO5InO5P和(A1Ga1”)o5In05P的直接带隙差为删g’PL实验研究表明lfl,Mg在Γ导带的分配为MΓ=0,43AEg,在价带的分配为巫v=0.57Mg。图3-12给出了Ga05InO hP/A1Ga10o5Ino`的带阶差与组分的关系,当F1,0时,价带的带阶差最大,为035cV,导带的最大带阶差为0.17eV,此时的组分豸值为0.7。因此,为了对电子获得尽可能高的限制,通常选用(A107Ga03)o5In05P材料为限制层。

由于sm4没有记忆效应,(AlxGa1005InO sP限制层的n型掺杂源通常选用s诅4,并入材料中的si替代Ⅲ族原子位置起施主杂质作用,为了易于控制⒏的掺入量,siH4通常用H2稀释至100~⒛Oppm。图3-13给出了用Sm4对(A105Ga05)o5InO sP材料进行掺杂的实验结果lgl。图3-13(a)的横轴是siH4与Ⅲ族Mo源的摩尔比,纵轴是电子浓度,对于AP-MOCVD和LP-MOCVD,材料中的电子浓度都随SiH4通入量的增加而增加,很容易达到101:cm^3。