位置：51电子网 » 技术资料 » EDA/PLD

Mg比Zn在AlGaInP材料中的电离能小

发布时间:2016/8/2 19:50:37 访问次数:437

   由于Mg比Zn在AlGaInP材料中的电离能小,且Mg的扩散系数小,采用Cp2Mg为掺杂剂可获得高的空穴浓度。AAT3112IVN-5.0-T1表3-3给出了在“0℃和720℃下Mg掺杂(AlyGalDo5In05P材料的空穴浓度lQl,其中Al组分x分别等于0.4和0.7。当∝=0.4时,在7⒛℃下可得到1.9×101:c盯3的空穴浓度,当F0.7时也可得到接近101:cn13的掺杂浓度。但是Mg在材料生长过程中有记忆效应,这是在重复性材料生长中需要注意的问题。

     

   由于Mg比Zn在AlGaInP材料中的电离能小,且Mg的扩散系数小,采用Cp2Mg为掺杂剂可获得高的空穴浓度。AAT3112IVN-5.0-T1表3-3给出了在“0℃和720℃下Mg掺杂(AlyGalDo5In05P材料的空穴浓度lQl,其中Al组分x分别等于0.4和0.7。当∝=0.4时,在7⒛℃下可得到1.9×101:c盯3的空穴浓度,当F0.7时也可得到接近101:cn13的掺杂浓度。但是Mg在材料生长过程中有记忆效应,这是在重复性材料生长中需要注意的问题。

     

相关技术资料
8-2Mg比Zn在AlGaInP材料中的电离能小
相关IC型号
AAT3112IVN-5.0-T1
AAT3110IGU-4.5-T1
AAT3110IGU-5.0-T1
AAT3110IJS-4.5-T1
AAT3110IJS-5.0-T1
AAT3111IGU-3.3-T1
AAT3111IJS-3.3-T1
AAT3112IVN-4.5-T1
AAT3113ITP-20-T1
AAT3114ISN-20-T1
AAT3120ITP-T1

热门点击

 

推荐技术资料

声道前级设计特点
    与通常的Hi-Fi前级不同，EP9307-CRZ这台分... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线：13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功！