要保持异质结界面组分的陡峭度,就要确保在生长相邻两层时要做到反应室内气相成分的突变。 L6562N如果在生长时当前外延层的源未被彻底的置换,那么在生长下一层时,上一层的源就会并入到下一层,在两层界面处形成组分梯度渐变的薄层。为了改善异质界面组分 的陡峭度,有人提出“生长中断”技术,即在生长相邻的两层时中断生长一段时间,等到反应室中的气相成分转变后再重新生长下一层。Niu四等人研究发现,采用生长停顿,可以有效改善MQWs界面质量,提高MQWs的PL强度与EL强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,使PL强度下降P四。另外,在生长IlllGal~d/GaN多量子阱时,载气流速也会对量子阱界面质量产生影响。HaⅡisP:]等人研究发现,生长InvGa1~邓/GaN多量子阱结构时,高的氨气流速和低的氢气流速(小于总气流流速的1%)有利于获得高的h组分以及高的界面质量。

   Lec四等人研究了在7碉℃下生长速率对多量子阱结构和光学性能的影响。其研究发现,低的生长速率可以改善量子阱界面的粗糙度,并且可以使穿透位错的密度有大幅度的减少,另外,低的生长速率也使得PL谱的强度大大提高,PL峰半高宽变窄并且在改变PL激发强度时峰值能量移动较小。他们认为这是由于低的生长速率使得原子在表面有足够的时间迁移到台阶边缘实现二维生长,提高了晶体质量所导致的。