漏极电压―定时栅压与衬底电流的关系
发布时间:2016/6/19 19:13:18 访问次数:2202
对于深亚微米CMOs工艺器件,当漏极ESD5Z5.0T1G电压一定时,电压(/cs)变化的情况如图5,3所示。
由图可知,当吒s为/Ds一半附近,气b达最大值。这是因为此时漏极附近形成高电场区,载流子一进入该区,就从电场获得很高的能量而成为热载流子。另外,漏极附近热载流子的运动因碰撞电离而产生电子―空穴对。产生的多数空穴流向衬底,形成衬底电流,部分空穴随着漏极向栅极正向电场的形成而注入氧化层。这样电子和空穴这两种载流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大变动,这时产生的是沟道热载流子注入效应。
对于深亚微米CMOs工艺器件,当漏极ESD5Z5.0T1G电压一定时,电压(/cs)变化的情况如图5,3所示。
由图可知,当吒s为/Ds一半附近,气b达最大值。这是因为此时漏极附近形成高电场区,载流子一进入该区,就从电场获得很高的能量而成为热载流子。另外,漏极附近热载流子的运动因碰撞电离而产生电子―空穴对。产生的多数空穴流向衬底,形成衬底电流,部分空穴随着漏极向栅极正向电场的形成而注入氧化层。这样电子和空穴这两种载流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大变动,这时产生的是沟道热载流子注入效应。
相关技术资料- 6-19漏极电压―定时栅压与衬底电流的关系
- 6-23前级电路
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