MOs电容的高频特性分析
发布时间:2016/7/1 22:12:32 访问次数:1217
所用样品分别采用H和S公司的0.18um CMOS工艺加工制作。图9,I4给出了两家公司不同面积的MOs电容在强积累偏置条件下的电容值,CAP005DG每个测量点对应着一个MOs电容的电容值。从图中可以看出,对于相同面积的MOs电容,s公司MOS电容样品的电容值均大于H公司MOS电容样品的电容值。用MINITAB软件对两批样品的高频电容(鲡h/鲡继)数据进行正态检验。如图9.15所示,S公司样品正态检验P值小于0。OO5表示其不满足正态分布。H公司测试数据的正态检验如图9.16所示,H公司样品正态性检验结果说明其分布满足正 态性检验。
所用样品分别采用H和S公司的0.18um CMOS工艺加工制作。图9,I4给出了两家公司不同面积的MOs电容在强积累偏置条件下的电容值,CAP005DG每个测量点对应着一个MOs电容的电容值。从图中可以看出,对于相同面积的MOs电容,s公司MOS电容样品的电容值均大于H公司MOS电容样品的电容值。用MINITAB软件对两批样品的高频电容(鲡h/鲡继)数据进行正态检验。如图9.15所示,S公司样品正态检验P值小于0。OO5表示其不满足正态分布。H公司测试数据的正态检验如图9.16所示,H公司样品正态性检验结果说明其分布满足正 态性检验。
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