其中,‰为阈值电压;砗:为平带电压;为脉冲的最高电压;%:L为脉冲的最低电压。 M0334RJ120即选择脉冲时,脉冲高度要大于阈电压与平带电压的差值,并且脉冲基准电压吒:.要小于砗:,最高电压/c:H大于Kh。脉冲频率一般选在0。l~100kHz范围内,因为此时的电荷泵电流乓P与脉冲频率成正比,脉冲频率仅影响饱和泵电流的大小,而不影响界面态密度的值。

   在一个脉冲周期中,当MOSFET被脉冲偏置到反型时,表面成为深耗尽,少子将从源和漏流进沟道,在这里它们中的一部分将被界面陷阱所俘获。当栅脉冲把表面驱动成积累状态时,可动电荷在漏源反偏压的作用下将反贯穿进漏和源区,这时被界面陷阱所俘获的电荷将与从衬底来的多子相结合,从而产生净的电荷流进衬底。当脉冲反复作用时,将形成泵电流。由此可知,漏源反偏压的作用: (l)在表面处于积累状态时,驱动可动电荷迁移回漏源区,为形成泵电流提供条件;

   使漏源结处于截止状态。因此,漏源反偏压对形成泵电流是重要的。漏源反偏压越大,将可能引起越多非界面陷阱电荷成分的自由电荷加入到衬底泵电流形成之中,从而引起饱和泵电流轻微的增长。