NMOS晶体管结构如图9.1所示,由两个PN结和一个MOs电容组成。M0280SJ250栅极下面的区域是一个电容结构,MOs管的「/特性由该电容结构决定。对于增强型NMOS晶体管,当栅极不加电压或加负电压时,栅极下面的区域保持P型导电类型,漏和源之间等效于一对背靠背的二极管。此时,在漏源电极之间加上电源,只有PN结的漏电流产生。

   图91 blMOs晶体管的基本结构

   当栅极上加上正电压时,正的栅电压将排斥栅下P型衬底中的可动电荷、空穴,吸引电子。当栅极上的电压超过阈值电压时,在栅极下方的P型区域内会形成电子的强反型层,把同为N型的源、漏扩散区连成一体,形成从漏极到源极的导电沟道,产生NMOS晶体管的卜/特性,如图9.2所示。额定工作条件下,加在栅电极上的正电压越高,沟道区的电子浓度越高,导电能力就越好。