在器件生产过程中,薄栅氧化层上的高电场是影响器件成品率和可靠性的主要因素。 BP1601当有足够的电荷注入氧化层时,会发生氧化层介质的击穿,这种击穿可以在介质层上施加电流或施加一个高电场来获得。由于电荷的注入会产生结构变化(陷阱、界面态等),引起局部电流的增加,产生热损伤,导致氧化层有一条低的电阻通路,在介质层上产生不可恢复的漏电。

   斜坡电压的测量

   JEDEC35“Proccdurc for曲c Wafer-L田cl Tcsting of Thin Dielcc饣ics”标准设计了斜坡电压测试方法,用于评价氧化层的可靠性。氧化层上的斜坡电压测试是最经济最快速的测试技术,可以以很高的灵敏度评价氧化层的质量和可靠性,可以用于生产监控。影响氧化层退化的工艺过程能够被斜坡电压法检测出来。

   测试由3个步骤组成,即初始测试、斜坡应力测试和应力后测试。初始测试是为了确认在使用应力下的漏电流小于1卜认,符合条件的进行下一步的斜坡应力测试。斜坡应力测试是在氧化层上加上步进的电压应力,同时连续(或者隔某一段时间间隙)测量流过氧化层的电流值。