经过腐蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此便可以将光刻胶从硅片的表面去除。A3245LUA-T胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。对非金属膜(如s⒑2、多晶硅、氮化硅)上的胶层一般用无机溶剂(如硫酸等)去胶,可使胶层氧化,溶于溶剂中。金属膜(如铝、铬等)上的胶层一般用有机溶剂(如丙酮和芳香族的有机溶剂等)去胶,这些去胶剂对金属无腐蚀作用。

   干法去胶则用等离子体将光刻胶去除。如使用氧等离子体,硅片上的光刻胶通过氧等离子体发生化学反应,生成气态的Co、Co2和H20,可以由真空系统抽走。相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好,但干法去胶存在反应残留物的玷污问题,因此二者经常搭配进行,光刻工艺流程。