(1)温度。实验表T5750-TAQ明,氧化速率随温度的升高而增加。实际生产中,热氧化的温度选择在10OO~1200℃之间。

   (2)时间。热氧化生长Si02中的Si来源于硅表面,也就是说,只有Si表面处的硅才能与氧化剂起化学反应生成SiO2层。随着反应继续进行,si表面位置不断向Si内方向移动,因此,Si的热氧化将有一个洁净的界面,氧化剂中沾污物将留在s⒑2表面。根据生产实践,生成的So2分子数与消耗掉的si原子数是相等的,所以,要生长一个单位厚度的S⒑2,就得消耗掉0。狃个单位厚度的Si层。当氧化时间很短时,S⒑2的厚度与时间成线性关系。随着时间增长,氧化层加厚的速率变 慢,即氧化速率下降。

   (3)晶格方向。(111)晶面的原子密度比<10O>晶面的原子密度大,因此,(111>晶面的si-so2界面处的反应速率也较快。但从氧化膜质量的角度来看,(100>晶面的缺陷密度较低,这也是生产制造中采用(1O0>晶面的原因。

   (4)压强。氧化的速率与氧化剂运动到si表面的速率有关,而压力可以强迫氧分子更快地通过正在生长的氧化层,所以压力越高,氧化速率越快。高压氧化的优点:缩短氧化时间或者降低氧化温度。在氧化速率不变的前提下,每增加一个大气压的压力,氧化炉内的温度可降低30℃。高压氧化比较适合生长厚的场氧层。

   (5)杂质浓度。Ⅲ―V族杂质可以提高氧化剂在sio2中的扩散速率,所以重掺杂si的氧化速率高于轻掺杂Si。

   (6)特定的杂质。某些特定的杂质,如Cl可以使氧化速率明显增加,在掺氯氧化或有HCl的情况下,生长率可提高1%~5%。