金属化是微电子集成电路中用于电连IXFN35N50接的薄膜金属导体,在加速应力条件下金属化完整性的测试结构是一个四端结构,在形成明显的空洞以前应有近似均匀的温度,示意图如图7.5所示。图形结构是四端结构,条长800um,条宽2um。

   测试线的环境温度。如果采用加热平台或类似的设备,则环境温度将与室温不同。测试过程中,在环境温度下测试线电阻值,此时在测试线上没有焦耳热产生。电阻的温度系数TCRσ)指测试线电阻随温度的变化量,或者指相同金属化的类似结构在某一特定温度条件下,每单位温度的电阻变化量,如JEDEC、JESD33中所描述的方程:

   参考温度通常有两种选择方式:0℃或环境温度(典型值为24~27℃)。当采用有条理的方法定义时两种方式是等效的,0℃便于不同实验间或同一实验室不同时间实验的比较。

   在线上加上不足以引起焦耳热的电流,则可测得初始电阻Ri1=°。热阻@是指每输入单位功率引起的测试线平均温度,单位为℃//W,这是由测试结构电流输入端的电流引起的。