当器件的特征尺寸到0.13um或更小时,布线间距进一步缩小,布线引起的电阻明显增大,EL5423CRZ因布线产生的传输延迟将变得更加显著,难于满足器件高速化的要求。要改善布线产生的传输延迟,必须降低布线电阻,同时还需降低布线电容。在传统铝金属导线无法突破瓶颈的情况下,经过多年的研究发展,铜/低庀介质的集成系统已经开始成为超大规模集成电路制造的主流工艺技术。由于铜的电阻率比铝小,可在较小的面积上承载较大的电流,芯片上的电路可以做得更密集,效能可提升30%~们%。而且,由于铜的抗电子迁移能力比铝好,因此可减轻铜互连线的电迁移作用,提高芯片的可靠性,而低庀介质材料的使用可降低布线引起的电容,提高器件的工作速度。