s⒑2膜硬度高,密度高,可防止表面划伤,并且对环境中的污染物可起到很好的屏障作用, SG40281B1-000U-A99一些可移动离子污染物,也被禁锢在二氧化硅膜中。在晶圆表面生长一层s⒑2,可以束缚硅的悬挂键,阻止晶圆表面硅电子的各种活动,提高器件的稳定性和可靠性,起到钝化保护的作用。它能防止电性能退化,减少由于潮湿、离子或其他外部污染造成的漏电流的产生。在制造过程中,还可以防止晶圆受到机械损伤。

   so2膜的制备

   so2的制备方法有许多种,包括热氧化法、热分解法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、等离子氧化法等。各种制备方法各有特点,不过,热氧化法是应用最为广泛的,这是由于它不仅具有工艺简单、操作方便、氧化膜质量最佳、膜的稳定性和可靠性好等优点,还能降低表面悬挂键,从而使表面态势密度减小,很好地控制界面陷阱和固定电荷。