1.作为绝缘介质

   s⒑2不导电,是绝缘SG38281B1-000U-A99体,它的热膨胀系数与硅相近,在加热或冷却时,晶圆不会弯曲,所以sio2膜常用做场氧化层或绝缘材料。

   2.对杂质扩散的掩蔽作用

   s02在集成电路制造中的重要用途之一是作为选择扩散的掩蔽膜。生产中往往是在硅表面某些特定的区域内掺入一定种类、一定数量的杂质,其余区域不进行掺杂。为了达到上述目的,常采用选择扩散的方法。选择扩散是根据某些杂质,在条件相同的情况下,在s⒑2中的扩散速度远小于其在硅中扩散速度的性质来完成的,

即利用s⒑2层对某些杂质能起到“掩蔽”的作用来达到的。实际上,掩蔽是相对的、有条件的,因为杂质在硅中扩散的同时,在S⒑2中也进行扩散,只是扩散的速度相差非常大。在相同条件下,杂质在硅中的扩散深度已达到要求时,其在s⒑2中 的扩散深度还很小,没有穿透预先生长的s⒑2层,因而在so2层保护下的那部分硅内没有杂质进入,客观上就起到了掩蔽的作用。

   3,作为表面钝化层

   s⒑2膜硬度高,密度高,可防止表面划伤,并且对环境中的污染物可起到很好的屏障作用,一些可移动离子污染物,也被禁锢在二氧化硅膜中。在晶圆表面生长一层s⒑2,可以束缚硅的悬挂键,阻止晶圆表面硅电子的各种活动,提高器件的稳定性和可靠性,起到钝化保护的作用。它能防止电性能退化,减少由于潮湿、离子或其他外部污染造成的漏电流的产生。在制造过程中,还可以防止晶圆受到机械损

伤。