市场对专用集成电路的需求,带动了标准工艺加工线(Foulldry)的发展,形成了无生产线℃设计公司与标准工艺加工线相结合的集成电路产业协同发展局面。AD847JR第三阶段:1989年以后,集成电路工艺的主要特点为采用全自对准金属硅化物栅、源及漏极,并且采用侧墙自对准工艺形成轻掺杂漏区。自对准硅化物工艺已经成为大规模超高速CMOS逻辑集成电路的关键制造工艺之一。它给高性能逻辑器件的制造提供了诸多好处。该工艺同时减小了源/漏电极和栅电极的薄膜电阻,降低了接触电阻,并缩短了与栅相关的RC延迟。

   集成电路工艺的主要特点是采用全自对准金属硅化钴(Cosi)栅、源及漏极,减小了接触电阻,并且采用侧墙自对准工艺形成轻掺杂漏区。在0.25um以下工艺节点,开始引入浅沟槽隔离(shallow Trcnch、olation,sTI)技术,它包括浅沟槽定义(光刻、蚀刻)、浅沟槽内壁隔离层氧化、采用高密度等离子体化学气相增强沉积氧化层进行浅沟槽填充、化学机械抛光(CMP)平坦化。

    进入21世纪,集成电路工艺跨入纳米时代,主要特点为增加体掺杂离子注入以抑制短沟道效应,同时又可以保持高的沟道载流子迁移率;采用全自对准金属硅化镍(№si)栅、源及漏极,减小了接触电阻,采用侧墙自对准工艺形成轻掺杂漏区。由于电路尺寸的缩小、金属布线层数的增加,以及可靠性要求的提高,一块芯片的制作工序多达几百道。

   因此,自从⒛世纪⒇年代以后,技术的飞速发展需要巨额资金投入和大量的人才与知识储备,一家企业“小而全”的综合发展策略己不能适应技术发展和市场需求。于是,导体体集成电路的产业结构向高度专业化方向转化,逐步形成了设计、制造、封装、测试自成体系的格局,各自拥有自己的市场空间。