热载流子主要为热电子，RFM04U6P所以N沟道MOS器件的热载流子效应比P沟道的要明显。文献报道：对深亚微米器件，有效沟道长度缩短到0. 15ym，VDS降至1.8V时仍发生热载流子效应，此时PMOS的热载流子效应变碍明显起来。

   热电子的来源一般分为衬底热电子和沟道热电子两类，它对应于器件不同的工作状态。当VD与Vs接地，VcS>0，VBS<0（B为衬底）时，主要产生衬底热电子，它起源于漏电电流。当衬底掺杂浓度增加，衬底负电压增大及沟道长宽比很大时，都使衬底热电子效应显著。如果V GS一VDS，VBS<0，主要是沟道热电子效应，此时注入区主要发生在漏结附近，与衬底热电子基本上从栅下均匀注入不同，所以是V DS控沟道热电子注入量。当漏电压一定时，VT与工。。。随VGS变化的情况如图4.7a所示，可见当VGS是VDS的一半左右时，VT与，。。。均达到最大值。这是因为此时漏极附近形成高电场区，载流子一进入该区，就从电场获得高的能量而成为热载流子。另外，漏极附近热载流子的运动因碰撞电离而产生电子一空穴对。产生的多数空穴流向衬底，形部分空穴随着漏极向栅极正向电场的形成而注入氧化层中，这样电子和空穴两种热载流子都注入Si02，将引起器件特性的很大变动，这时的条件叫雪崩热载流子条件，其情况如图4. 7b所示。