MOS器件的源和漏极连在一起后与衬底间施加一反向偏压V，，栅极连接脉冲发生器，RFM04U6P波形及幅度由示波器监控。脉冲常用矩形波，幅度为AVA，脉冲上升、下降时间分别为￡、tf，脉冲周期为TP，重复频率为厂，脉冲上叠加偏置电压VB。当脉冲电压使N沟道MOS器件从堆积进入反型时，从源一漏区进入沟道的电子，一部分被界面态所俘获，当栅脉冲使沟道区回到堆积时，沟道区中未被俘获的电子在反向偏压V．作用下又回到源（漏）极，但被 界面态俘获的少子与来自衬底的多子（空穴）复合，这样通过面态产生一个自衬底到漏源区的净电荷流动，此即所谓的电荷泵电流，也即衬底电，它由串在衬底回路中的电流计测出，，A为栅氧面积( crr12)，D，。为界面态密度平均值( Cl'l'l-2．eV-1)，其他参数均同常规意义。

   ICP随VB的变化情况如图4.9所示。在区域3中，偏置电压VB低于平带电压VFB，而脉冲顶高于阈值电压VT，发生CP效应即产生电荷泵电流。在区域1中，栅脉冲的顶部及底部都低于V FB，界面态一直由空穴填充，没有复合电流产生。在区域5中，沟道一直处

于反型状态，没有空穴能到达表面，也不产生Ic，，只存在漏电流。当从区域3向区域1过渡，脉冲顶部达不到VT时（区域2），沟道电子急剧减少，在Vt -AVA处急速下降。在区域4中，脉冲底部比V FB高，汝有空穴流人，在VF。处J。，也急速下降。ICP的幅值是界面态的一种度量，由CP特性的趋势可推导出VT和VFB。当沟道中发生局部退化时，器件的CP特性是沟道退化部分和未退化部分特性之和。因此，施加电应力后ICP值的增加，反映了D。的局部或均匀增加，CP特性边缘的畸变或向正（负）的VB方向漂移，表明局部或均匀的负（正）氧化层电荷的存在。图4. 10表示N-MOSFET在电子束辐照前后的CP曲线，由ICP幅值增加可算出D．．从原来的1.7×loio cm-2．eV-l增加到6.6×1011Cffl1．eV-1，同时伴有曲线边缘的伸展。辐照后曲线向左移动，表明氧化层内和界面处有净的正电荷产生。因此CP技术可给出更多更精确的MOS器件界面信息，即使发生局部退化，也能提供诱生界面陷

阱的数量以及被栅介质俘获电荷量的性质及大小。它不仅用于热载流子效应的研究，还可用于F-N隧穿电流应力、辐照损伤的研究。