硅靶是由大量微小的光电二板管的阵列构成的，其结构和工作原理如图7.14所示。极FDLL4148薄的N型硅片的一面经抛光、氧化而形成一层绝缘良好的二氧化硅( Si02)膜。用光刻技术在膜上刻出圆形窗孔阵列（一英寸管有近50万个窗孔），通过窗孔将硼扩散入硅基片，形成P型岛阵列。每个P型岛与N型基片构成‘个PN结光电二极管，而每个光电二极管被Si02膜隔开，形成一个单独的像素。这样N型硅片的一面为N+层，另。面为P型岛阵列，构成具有40多万个像素的硅靶。为使电子束扫描时不在电阻率很高的Si02膜上积累电荷而影响扫描电子束上靶的工作，可以给各P型岛加上相互绝缘的金属导电层，使每个二极管的导电电极有尽可能大的面积；或者在整个靶面上蒸发一层半绝缘性质的电阻层（如CdTe电阻层），使电荷可以流向各个光电二极管。