电子轰击型CCD (EBCCD)
发布时间:2016/1/30 22:37:57 访问次数:1976
这种微光CCD与硅增强靶摄像管的结构十分相似，只是把靶换成CCD芯片。电子 R1LV0408DSA-5SR轰击(EB)工作模式的基本原理是入射光子照射光阴极转换为光电子，光屯子被加速(约10～15 kV)并聚焦成像在CCD芯片，损失掉一部分能量后，在CCD像敏元中产生信号电荷，积分结束时，信号电荷被转移到寄存器输出。
目前常用的三种电子光学成像方式都可用于EBCCD，其中静电聚焦简单，得倒像，但易产生枕形畸变；磁聚焦分辨率高，得正像，但笨重且常引起螺旋形畸变；近贴型得正像如图7.30所示，但因靠阴极表面的强电场来保证分辨率，故会引起场致发射，构成强背景辐射。倒像式EBCCD的结构如图7.31所示。
图7.29光纤耦合的ICCD结构
这种微光CCD与硅增强靶摄像管的结构十分相似，只是把靶换成CCD芯片。电子 R1LV0408DSA-5SR轰击(EB)工作模式的基本原理是入射光子照射光阴极转换为光电子，光屯子被加速(约10～15 kV)并聚焦成像在CCD芯片，损失掉一部分能量后，在CCD像敏元中产生信号电荷，积分结束时，信号电荷被转移到寄存器输出。
目前常用的三种电子光学成像方式都可用于EBCCD，其中静电聚焦简单，得倒像，但易产生枕形畸变；磁聚焦分辨率高，得正像，但笨重且常引起螺旋形畸变；近贴型得正像如图7.30所示，但因靠阴极表面的强电场来保证分辨率，故会引起场致发射，构成强背景辐射。倒像式EBCCD的结构如图7.31所示。
图7.29光纤耦合的ICCD结构
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