当靶面无光照射时，各像素FDD5614P的电阻很大，即暗电流很小。在电子束扫过某一像素的瞬间，该像素与电源正极（+ VT）和阴极接成通路，于是电容被充电，电容左侧电位上升到+ VT，而右侧为阴极电位。电子束离开后，电容通过电阻放电，由于暗电导很小，因此放电极慢。在两次扫描的间隔期内，电容右侧电位只上升一个很小的增量△所，当该像素受到下一次扫描时，右侧电位又恢复到阴极电位。此时的充电电流称为暗电流。为了克服靶面上各像素的差异引起的暗电流起伏干扰，就希望光电导材料有的电阻率。

   当光学图像成像到靶面上时，由于靶面受到光照，各像素的电阻值随入射光的照度而变化，照度大则电阻小，放电快，在两次扫描间隔期内靶右侧电位上升量大；照度小则电阻大，靶右侧电位上升量小。于是在一帧时间里，靶的右侧就形成了一幅与光学图像明暗分布相对应的电位图像，这就是图像的存储过程。经扫描，电子束对像素电容充电，其充电电流称为光电流（即信号电流）。电子束扫完一帧图像后，这幅电位图像就转换为随时间变化的电信号。由于对应亮的像素流过RL的电流大，对应暗的像素流过RL的电流小，因此负载上输出的是负极性的图像信号。所以电子束扫描过程为信号的读取过程。当像素电容再次充电到电压VL（即右侧电位又恢复到阴极电位）时，像素存储信号被擦除掉。

   为了满足信号电荷的存储功能且具有较小的惰性，要求光电导靶满足以下特性：

   ①光电导层的电阻率p≥l012Q-cm：

   ②靶的静电电容在600～3000 pF的范围内；

   ③光电导材料的禁带宽度为1.7 eV≤Eg<2 eV。

   PN结型靶由于阻挡层（势垒）的存在降低了暗电流，因此对电阻和禁带宽度的要求大大放宽，扩大了材料选择的范围。所以除了早期的视像管外，现在大多采用PN结型视像管靶，硅靶是其中之一。