MOS电路通常由电阻器、RHRP1560二极管、电容器和晶体管组成。前3个器件的测量方法与测量双极型晶体管电路的方法相同。和双极型晶体管一样，MOS晶体管也由3个源构成，即源极、漏极和栅极（见图14. 39和第16章）。这种晶体管需要测量决定正偏与反的漏一源结点的电压值。通过测试栅极阈值电压来确定栅极的功能。

   MOS晶体管源极常被置于正偏。由于栅极的高的电阻率，正向电流不会到达漏极。，而当栅极电压超过一特定电压值（阈值）时，在栅极区下将产生充足的电荷形成导电沟道，并使源、漏极导通。，每个MOS晶体管都设计有特定的阈值电压。可用电容一电匿技术对其进行测量、，不断增加栅极电压的同时便可监测到栅结构电容的变化。

   电容器是一种存储器件。初始，在测量的电压增长的过程中，电容并没有变化。当到达阈值电压时，反型层开始形成并起到如同一个电容器的作用。两个串联在一起的电容的电容量比它们的和要小，所以它会成为一个较低电容量的电容。MOS晶体管也具有放大特性．其增益定义为源极电流除以栅极电压。随栅极电压而变化的源漏特性（见图14. 40）。