气相外延( VPE)与CVD系统的不同之处在于VPE可淀积化合物材料，GL2595-ASF8R如砷化镓( GaAs)、VPE系统Il I由标准的液体源、管式反应炉和双区扩散炉组成．、图12. 24给出厂·个详细的例子，用于淀积外延砷化镓。在主反应室内，砷化镓( GaAs)在晶圆表面上形成要经历两个阶段：AsCl，（三氯化砷）用鼓泡式进入反应炉的起始部分，在此与放置在舟内的固态镓反应。AsCl，在起始部分与H2反应.

   砷淀积在镓上形成硬壳。流经硬壳的H：‘在起始部位反应，形成流经晶圆区的3种气体： GaAs    HCl  .GaCl    l/2 H2    1/4 AS4 晶圆区的温度稍低，并且反应是可逆的，CaAs淀积在晶圆。该技术具有薄膜清洁的优点，原因在于Ga和AsCI，纯度非常高。而且 比MBE技术有更高的生产率。不足之处在于，该技术产生的薄膜结构没有MBE薄膜的质量好。