离开分析部分后，AD7001AS硼离子运动到加速管中。其目的是将离子加速到足够高的速度，获取足够高的动量以穿透晶圆表面。动量( momentum)定义为原子质量与其速度的乘积。这个部分保持在高真空（低压）以便将进入束流的沾污降到最低。为此，常使用涡轮真空泵（见第1 3章）。

   利用正负电荷互相吸引的特性可以获取所需的速度。加速管为直线型设计，沿轴向有环形的电极。每个电极都带有负电。电荷量沿加速管方向增加。当带正电的离子进入加速管后，立刻会沿着加速管的方向加速。电压的确定基于离子的质量，以及离子注入机晶圆端历需的动量。电压越高，动量越高，速度越快，离子入射越深。低能离子注入机的电压范围为5~ 10 keV，高能离子注入机为0.2~2.5 MeV（百万电子伏特）。

   离子注入机分为如下类别：中等束流和高束流设备，高能量与氧离子注入机。离开加速管的正离子流实际上就是电流。束流高低水平可转化为每分钟注入的离子数量。束流越高，入射原子就越多。被注入的原子量称为剂量( dose)。中等束流的机器可以产生0.5—1.7 mA范围的束流，能量范围为30~ 200 keV。高束流器能产生能量高达200 keVI9J El束流强度达10 mA的束流。高能量离子注入机在CMOS掺杂中应用，包括倒掺杂的阱、沟道停止和深埋层（见第16章）。