基本化学机械抛光工艺步骤：晶圆被固定在面朝下的磨头上，依次地，ADS7852Y晶圆也面朝下固定在旋转机台上。旋转机台表面用一个抛光垫覆盖。带有小研磨颗粒的磨料浆( slurry)流到台面上。晶圆表面物质被磨料颗粒侵袭，并一点点磨去，再被磨料浆冲走。由于两个轨道的辏动，以及磨料浆的共同作用使晶圆表面抛光。表面高处首先被抛光，接着是低的地方，这样就达到r平坦化的目的。这些是机械抛光作用。然而，只有机械抛光自身是无法满足半导体工艺对晶圆的要求的，因为晶圆表面受到了过多的机械损伤。通过对磨料浆的选取，可以减少这种损伤，因为磨料浆中的化学物质可以溶解或刻蚀一些表面物质。化学侵蚀一般是通过氧化作用将表面腐蚀掉的．、与之相似的是熨斗的生锈机理，它就是一种化学侵蚀。当熨斗接触氧气时，它的表面会长l^一层锈。然而正是这层锈将熨斗表面与水中或空气中的氧气隔离开，从而减缓了进一步生锈的过程，这就是化学与机械共同作用的结果。磨粉磨去腐蚀层而露出新鲜表面，新鲜表面与化学物质反应生成新的腐蚀层，这样不断反复。在化学机械抛光之后，有一步化学机械抛光后清洗( post CMP cleaning)以保证晶圆的洁净。

   线性化学机械抛光系统还在使用。在这种配置中，晶圆载片头是相对运动的皮带转不是转盘。线性系统的一个主要优点是在晶圆下磨料浆运动速度增加。

   衡量化学机械抛光处理的几项主要指标是：

   ·表面平整度

   ·表面机械条件

   ·表面化学性质

   ·表面洁净度

   ·生产率