位错是在单晶里一组晶胞排错位置。MC9S12DJ64CFU这可以想象成在一堆整齐排列的方糖中有一块方糖排列和其他方糖的排列发生了微小的偏差。位错在晶圆里的发生，是由于晶体生长条件和晶体内的品格应力，也可能是由于制造过程中的物理损坏。碎片或崩边成为晶格应力的交点会产生一条位错线，随着后面的高温工艺扩展到晶圆内部。位错能通过表面的一种特殊腐蚀显示出来。典型的晶圆具有每平方厘米200~1000的位错密度。

   腐蚀出的位错出现在晶圆的表面卜，形状代表了它们的晶向。<111>的晶圆腐蚀出三角形的位错，(100)的晶圆出现方形的腐蚀坑。

  原生缺陷

   在晶体牛长中，一定的条件会导致结构缺陷。有一种叫滑移(slip)，参考图3.16沿着晶体平面产生的晶体滑移。，另一个问题是孪晶(twinning)，这是一个从同一界面生长出两种不同方向晶体的情形。这两种缺陷都是晶体报废的主要原因。