版图结构中电路节点收集电子的数量用收集效率来表示，是给定单元收集a粒子感生荷电载流子与a粒子所产生的比率，它与节点耗尽层大小、载流子在衬底中扩散长度以及a粒子入射位置和角度有关。

   引起电路产生误差所需的最小电荷量定义为临界电荷Qcr,：，对DRAM可表示Q。HD10145G是单元的正常电荷，Qm，。是能正确读出时的最小电荷。因此存储器的软误差率取决于Qcr,。和该单元的收集效率。DRAM最敏感的部位是位线和读出放大器，而不是存储单元， 这是因为单元的临界电荷比位线的大，而位线和读出放大器的收集效率比较高。16KBDRAM的Qcr,。约为106库仑，d射线产生的电子一空穴对也在这一数量级。而64KB'CCD器件（电荷耦合器件）的Qcr,。约为105库仑，所以CCD的软误差失效很严重。随着集成度的提高，器件缩小，Qcr,。下降，软误差失效将会日趋严重。