知道了产生软误差的物理过程，HD10148也就有了防止的措施。防止产生软误差的措施主要有以下几种。

   1)提高封装材料的纯度，减少a粒子来源。

   2)芯片表面涂阻挡层，如聚酸胺系列有机高分子化合物，组织仅粒子发射到芯片中。

   3)从器件设计人手，增加存储单位面积的电荷存储容量，如采用介电系数大的材料或沟槽结构电容，如图4. 25所示，增大存储电容面积。也可在衬底中加隐埋层，提高杂质浓度，并使隐埋层杂质分布优化，使电荷收集效率小而又不致提高结电容，降低电路性能。

   4)从电路设计人手，采用ECC(Error CorrectingCode，纠错码)技术。

   5) DRAM的使用中采用复杂的时序控制电路，缩短位线电压浮动时间，减少软误差。

   图4. 25  沟槽结构电容剖面图

   从管芯加工完成后的中测、划片、键合、封装等直到器件完成的所有工序统称后工序，其中存在的可靠性问题有：1）由湿气引起金属材料的腐蚀；2）由湿气引起器件性能的退化。后一种失效在塑封器件中较为明显。塑封是在环氧树脂中，加入硬化剂、填充剂等，加热、加压固化成管壳。其耐湿差、湿气的危害不容忽视。

    水汽的来源与作用

     塑封器件中的水汽包括封装时残留于器件内部、表面吸附或经材料间的缝隙渗人以及由外界通过塑料材料本身扩散进入的水汽。水汽可把外界及树脂表面的污染带人，也可溶解树脂中含有的杂质（如Cl-、Na+及保护膜中的磷）等形成电解液，以及引起体积膨胀等变化，影响器件可靠性。