器件的封装材料（陶瓷管壳，作为树脂填充剂的石英粉等）中含有微量元素铀、HD10136钍等放射性物质，它们衰变时会放出高能a射线。当这些a射线或宇宙射线照射到半导体存储器上时，引起存储数据位的丢失或变化，在下次写入时存储器又能正常工作，它完全是随机地发生，所以把这种数据位丢失叫软误差。引起软误差的原因是d射线的电离效应。能量为5MeV的a射线，穿入硅衬底的深度约在251um，沿其运动路径随着能量损失约产生2.5×106个电子一空穴对，电子可被收集到带正电的N+扩散区域，空穴被排斥流入衬底。根据N+扩散区位置的不同可分为以下两种情况。

   1．存储单元模式    ．

   DRAM的存储单元多由MOS管与MOS电容构成，利用电容上存储

的电荷或电位来表示信息。当存储单元衬底侧的势阱有电子（信息为O）时，不会引起信息丢失。若势阱为空（信息为1），a射线产生的电子流入，流入的电子达到一定的量，信息就丢失，即由1到0，这即产生软误差，如图4. 24所示。

   2．位线模式

   存储器中的数据经读出放大器读出时位线浮空，存储的信息由位线传递，把位线电位与基准位线上电位相比，如果a射线产生的电子流人存储位线，使位线电位降低，信息就会由原来存储的1变为O。若a射线使基准位线电位降低，信息就会从原来存储的0变为 1。因此，位线电位的变化会造成分不清存储信息究竟是1还是O，实际观察到的软误差是上述两种矢效机理造成的。