静电损伤模式包括突发性失效和潜在性失效。

   1．突发性失效

   突发性失效使器件的一个或多个参数突然劣化，完全失去规定功能，HCPL-M611-500E通常表现为开路、短路或电参数严重漂移。如介质击穿，铝条熔断，PN结反向漏电增大甚至击穿。对CMOS电路，可因静电放电而触发闩锁效应，器件会因过大电流而烧毁。    。

   2．潜在性失效

   如带电体的静电势或储存的能量较低，或ESD回路中有限流电阻存在，一次ESD不足以引起器件发生突然失效，但它会在器件内部造成一些损伤。这种损伤是累积性的，随着ESD次数的增加，器件的损伤阈值（电压或能量）在降低，其性能在逐渐劣化，这类损伤叫潜在性失效。它降低了器件的抗静电能力。因此器件不能进行抗静电筛选。