如前所述，微电子器件在生产、使用过程中不可避免地会涉及静电损伤， HCPLV454别是当电路规模进一步扩大，器件尺寸日益细微化时，对ESD也更加敏感。因此有必要确定某种方法或技术对器件进行测试，以表征器件抗静电的能力。抗静电能力用静电放电灵敏度( ESDS)表示，它采用人体模型进行测量。所谓人体模型(HBM)是目前广泛采用的一种静电放电损伤模型。人体对地构成静电电容，容量约为lOOpF，人体内部导电性较好，从手到脚间大约有数百欧，皮肤表面导电性不好，表面电阻为lO~Qlcmz，因此人体相当于人体对地电容Cb和人体电阻风相串联。当人体与器件接触时，人体所带能量经过器件的引脚，通过器件内部到地而放电，放电时常数r= Cb Rb，总能量E=O. 5Cb Ug。

   美军标准MIL-STD-883C中方法3015.2规定了半导体器件ESDS进行测定的方法与步骤。ESDS的测试线路及对放电波形的要求如图4.23所示。如果放电波形没有得到严格控制，不同测试设备对同样的样品测出的ESDS存在很宽的分布范围，不能得出正确结论。这是因为测试线路中的寄生参数对高频(100MHz)、离压(kV有强烈影响，容易出现波形过冲和高频振荡。此外MOS电路的输入保护电路响应有一个延迟，如果波形上升过快，保护电路不起作用，因此，图4. 23中￡。取10～15 ns，td取300ns。